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规格书 |
NTR4502P |
文档 |
Multiple Devices 30/Mar/2012 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
标准包装 | 10,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.13A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 200 mOhm @ 1.95A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 10nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 200pF @ 15V |
功率 - 最大 | 400mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | SOT-23 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | P |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 200@10V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | SOT-23 |
最大功率耗散 | 400 |
最大连续漏极电流 | 1.13 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.13A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 200 mOhm @ 1.95A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 400mW |
标准包装 | 10,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 200pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 10nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 10000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | - 20 V |
连续漏极电流 | - 1.95 A |
正向跨导 - 闵 | 3 S |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 240 mOhms |
功率耗散 | 1.25 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
上升时间 | 12 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | - 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 12 ns |
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